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霍尼韦尔101MG2L1磁性传感器技术分析:
霍尔效应或各向异性磁阻式 (AMR) 传感器 IC 用于角度、位置和速度传感的数字化或线性输出;增值套件。
您知道我们处于地位。在 1968 年,我们在单个电路中结合了霍尔效应感应和相关电子元件,由此开发出的第一款固态键盘使行业产生了革命性的变化。这些速度快、寿命长的传感器基本上都可以直接兼容其他电子电路,产生比例输出来对磁场的存在或中断作出响应。
目前,我们的磁性传感器产品系列包括:
线性和角度传感器集成电路
位置传感器集成电路
速度和方向,速度传感器集成电路
增值封装传感器
MG 系列磁体可作为执行器适用于具有单极或全极磁性特点的霍尔效应和磁阻传感器集成电路。
MG 系列磁体提供多种紧凑配置、强度和磁性材料任您挑选,可作为执行器适用于具有单极或全极磁性特点的霍尔效应或磁阻式传感器集成电路中。这些磁体设计用于在距离内提供最小磁场强度,以帮助系统设计人员根据自身要求找到最合适的磁体。
101MG2L1磁性传感器主要特点:
传感器的特点包括:微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、网络化,它不仅促进了传统产业的改造和更新换代,而且还可能建立新型工业,从而成为21世纪新的经济增长点。微型化是建立在微电子机械系统(MEMS)技术基础上的,已成功应用在硅器件上做成硅压力传感器。
101MG2L1磁性传感器选购指南:
101MG2L1
101MG3
101MG7
COMMERCIAL SS
101MG7-BP
102MG11
Com.SS
102MG11-BP
102MG15
102MG15-BP
103MG5
103MG8